Hva er skadene av ESD på elektroniske enheter
ESD-skader på elektroniske enheter ESD-skader på elektroniske enheter, uansett om ESD utlader elektroniske enheter direkte eller indirekte utlader elektroniske enheter, kan elektroniske enheter bli skadet. Det kan ikke bare forårsake plutselig svikt i enhetsfunksjonen, men også forårsake potensiell svikt i enhetsfunksjonen.
1. Plutselig svikt
Plutselig feil betyr at når en elektronisk enhet utsettes for et ESD-miljø, kan kretsparametrene endres betydelig og funksjonen kan gå tapt. ESD kan føre til at metallet smelter og forårsake kortslutning eller sammenbrudd av isolasjonslaget osv., og forårsake permanent skade på enhetens krets. Slike feil kan oppdages i ferdig produkttesting før forsendelse. I følge relevant statistikk, blant elektroniske enheter som er skadet av statisk elektrisitet, utgjør plutselige feil omtrent 10 % av de totale feilene.
Et sterkt elektrostatisk felt vil føre til at gateoksidlaget til MOS-felteffektenheten brytes ned og føre til at enheten svikter. Generelt er gateoksidfilmtykkelsen til MOS-enheter i størrelsesorden 1 (T7 m). Når kretsdesignet ikke tar beskyttelsestiltak, vil selv et tett og hullfritt høykvalitets oksidlag brytes ned under en elektrostatisk spenning på 100 V. For For kretser med beskyttelsestiltak, selv om sammenbruddsspenningen kan være høyere enn 100 V, spenningen til farlige statiske strømkilder kan være flere tusen volt eller til og med titusenvis av volt. Derfor er nedbrytningseffekten av høyspente elektrostatiske felt fortsatt en stor fare for MOS-kretser. I tillegg kan det elektrostatiske høyspenningsfeltet også forårsake dielektrisk sammenbrudd mellom flerlags ledningskretser eller dielektrisk sammenbrudd mellom metalliserte ledninger, noe som forårsaker kretssvikt.
2. Potensiell svikt
Potensiell feil betyr at når enheten utsettes for ESD-miljøet, kan det føre til delvis forringelse av enhetens ytelse, men midlertidig ikke påvirke dens riktige funksjon. Imidlertid er levetiden til enheten kraftig forkortet. Denne skaden er kumulativ. Etter hvert som antallet ESD-pulser som oppleves øker, reduseres den elektrostatiske skadespenningsterskelen til enheten gradvis, eller enhetens parametere forringes sakte. I følge statistikk utgjør potensielle feil 90 % av det totale antallet ESD-feil i elektroniske enheter. Derfor er den potensielle feilen til elektroniske enheter mer skadelig.